[16p-B1-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [16p-B1-2] Al₂O₃/AlGaN/GaN MOSHEMTの界面制御プロセス

〇金木 奨太¹、西口 賢弥¹、橋詰 保¹ (1.北大量集センター)

キーワード：GaN