[16p-B10-1~12] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /MEMS/Integration technology

[16p-B10-5] Techniques to improve the resist plane uniformity within the half-inch wafer by minimal coater

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Takuya Koga², Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL)

Keywords:Resist, Coating, minimalfab

ウェハエッジ部でのレジスト膨らみ抑制、外部の微粒子と温湿度環境に対する制御技術開発、局所クリーンエリア内の層流性など、レジスト塗布に関する再現性についての課題は克服してきた。しかしながら、レジスト膜のウェハ面内均一性向上の課題については十分な検証を行っていない。ハーフインチウェハは遠心力が得られないためレジストの塗り広がりには不利であるが、今回良好な結果が得られた。その評価結果について報告する。