2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[16p-B10-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年9月16日(金) 13:45 〜 17:00 B10 (展示控室1)

佐々木 実(豊田工大)、角嶋 邦之(東工大)

14:45 〜 15:00

[16p-B10-5] ミニマルコータにおけるレジスト膜ウェハ面内均一性向上技術

田中 宏幸1,2、古賀 拓哉2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.産総研、2.ミニマルファブ)

キーワード:レジスト、コーティング、ミニマル

ウェハエッジ部でのレジスト膨らみ抑制、外部の微粒子と温湿度環境に対する制御技術開発、局所クリーンエリア内の層流性など、レジスト塗布に関する再現性についての課題は克服してきた。しかしながら、レジスト膜のウェハ面内均一性向上の課題については十分な検証を行っていない。ハーフインチウェハは遠心力が得られないためレジストの塗り広がりには不利であるが、今回良好な結果が得られた。その評価結果について報告する。