[16p-B3-1~9] 6.5 表面物理・真空

△ [16p-B3-4] Cs/GaAs表面における表面処理と量子効率の関係 (III)
~昇温脱離法によるNEA表面の解析~

〇稲垣 雄大¹、池田 有希¹、田中 紘大¹、石川 大介¹、志村 優丞¹、飯島 北斗¹、目黒 多加志¹ (1.東理大理)

キーワード：NEA、GaAs、量子効率