[16p-B3-1~9] 6.5 表面物理・真空

[16p-B3-8] Si(113)表面酸化における表面構造と電子状態の解析

〇小川 新¹、田中 博也¹、大野 真也¹、田中 正俊¹、三木 一司²、小川 修一³、高桑 雄二³ (1.横国大院工、2.物材機構、3.東北大多元研)

キーワード：シリコン酸化、走査型トンネル顕微鏡、紫外線光電子分光

我々は、UPS, STMによる測定を行い、Si(113)表面酸化、その初期過程においての温度変化依存性を調べた。その結果、Si(001)面に並び、Si(113)面でも初期酸化過程に3つの酸化様式の変化が起きることが確認でき、酸化圧力と温度に依存する酸化様式変化の相図を得た。また、一つの酸化様式の中でも、酸化温度の変化に伴って酸化進行に違いが生じることが確認され、この現象の要因について議論する。