[16p-B3-1~9] 6.5 表面物理・真空

[16p-B3-9] ヘテロエピタキシャル成長時における薄膜ストレス遷移と表面形態の相関

〇魚住 雄輝^1,2、山崎 竜也³、朝岡 秀人¹ (1.原子力機構、2.日立パワー、3.エイコー)

キーワード：薄膜ストレス、ナノドット、分子線エピタキシー

我々は、基板たわみ測定法とRHEED法を用いてSi(111)基板へのGe成長過程における薄膜のストレス測定その場観察を200～500℃で実施した結果、400℃加熱条件において、Ge膜厚が3BLまでは薄膜成長と共にストレスが蓄積し、3BL以上になるとナノドットの発生と同時に蓄積されたストレスが緩和する様子を捉えた。また、200～500℃でのGe薄膜20BL時におけるストレス緩和率をRHEED、および基板たわみ測定法を用いて求めた結果、両測定法ともに成長温度の上昇に伴いストレス緩和率が低下したが400～500℃では大きく緩和率が異なった。RHEEDではナノドット先端部の情報を捉えるのに対し、基板たわみ測定法では薄膜全体のストレスを測定するためであり、ストレス緩和は場所依存性を有することが明らかになった。