2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.3 プラズマ成膜・表面処理

[16p-B7-1~13] 8.3 プラズマ成膜・表面処理

2016年9月16日(金) 13:15 〜 16:45 B7 (展示ホール内)

古閑 一憲(九大)、中村 圭二(中部大)

16:30 〜 16:45

[16p-B7-13] RePAC法を用いたプラズマ窒化によるc-BN膜密着性の改善

野間 正男1、山下 満2、江利口 浩二3、長谷川 繁彦4 (1.神港精機㈱、2.兵庫県立工業技術センター、3.京大院工、4.阪大産研)

キーワード:立方晶窒化ホウ素、反応性プラズマ支援成膜法、プラズマ窒化

我々は、反応性プラズマ支援成膜法(RePAC法)を用いたBN膜について成膜条件に対する制御性、再現性および長期間の密着性について報告している。 c-BN膜の剥離メカニズムについて、t-BN層に生じる粒界に偏析したホウ素が起因しクラックが形成されることで剥離することを報告している。我々は、このBN膜の剥離を防止するために、粒界に偏析したホウ素に対して、RePAC法においてプラズマ窒化を施すプロセスを適用し、密着性の改善効果を検討してた。