[16p-C302-1~9] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[16p-C302-5] Impact of NO POA on leakage current conduction mechanism of thermally grown SiO₂ on 4H-SiC

〇Yuji Kiuchi^1,2, Mitsuru Sometani¹, Dai Okamoto³, Testuo Hatakeyama¹, Sinsuke Harada¹, Hiroshi Yano³, Yoshiyuki Yonezawa¹, Hajime Okumura¹ (1.AIST, 2.NJR, 3.Univ. of Tsukuba)

Keywords:4H-SiC, leakage current conduction mechanism of thermally grown SiO2, NO POA

4H-SiC熱酸化膜界面特性を改善するために、窒化処理はよく知られている方法であり、MOSFETの移動度、界面準位の改善が報告されている。しかしながら、窒化により酸化膜の信頼性指標の一つであるリーク電流は増加し、酸化膜耐圧は低下することが知られている。一方、ドライ酸化により4H-SiC基板上に形成した熱酸化膜のゲートリーク電流には、温度依存性からFN電流に加えて、膜中欠陥を介したPF電流の成分も存在することが確認されている。本研究では、窒化によるリーク電流増大の原因として、膜中欠陥が寄与すると考え、窒化処理時間を変えた4H-SiC Si面の熱酸化膜に対して、ゲートリーク電流の温度依存性を評価した。