[16p-C302-1~9] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-C302-5] 4H-SiC熱酸化膜のリーク伝導機構に対する窒化処理の影響

〇木内 祐治^1,2、染谷 満¹、岡本 大³、畠山 哲夫¹、原田 信介¹、矢野 裕司³、米澤 喜幸¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.新日本無線（株）、3.筑波大)

キーワード：4H-SiC、熱酸化膜のリーク伝導機構、窒化処理

4H-SiC熱酸化膜界面特性を改善するために、窒化処理はよく知られている方法であり、MOSFETの移動度、界面準位の改善が報告されている。しかしながら、窒化により酸化膜の信頼性指標の一つであるリーク電流は増加し、酸化膜耐圧は低下することが知られている。一方、ドライ酸化により4H-SiC基板上に形成した熱酸化膜のゲートリーク電流には、温度依存性からFN電流に加えて、膜中欠陥を介したPF電流の成分も存在することが確認されている。本研究では、窒化によるリーク電流増大の原因として、膜中欠陥が寄与すると考え、窒化処理時間を変えた4H-SiC Si面の熱酸化膜に対して、ゲートリーク電流の温度依存性を評価した。