[16p-D61-1~12] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [16p-D61-10] C-Si 反応を利用したGe 量子ドットの積層構造の発光特性

〇(D)伊藤 友樹^1,2、川島 知之¹、鷲尾 勝由¹ (1.東北大院工、2.学振特別研究員)

キーワード：量子ドット、ゲルマニウム、カーボン

C-Si 反応によるc(4×4)表面再構成を利用して形成した自己組織化Ge 量子ドット(QD)の積層化を検討している。本報告では、Ge QDとSi スペーサの交互積層構造の形成条件による室温PL 特性の変化について考察した。