[16p-P6-1~22] 12.1 作製・構造制御

△ [16p-P6-2] 銅(I)イソシアニド錯体の発光特性

〇早川 拓弥¹、谷原 佑輔¹、橋本 雅司¹、寺前 裕之¹、宮前 博¹、阪田 知巳¹ (1.城西大理)

キーワード：フォトルミネッセンス、銅(I)、錯体

近年，OLED用発光材料として，安価で埋蔵量の多い銅を用いた錯体の研究が進められている。中でも，キュバン型構造を有するハロゲン架橋銅 (I) 錯体が高い発光効率の点から注目を集めている。これまでの研究はCu-Nを配位結合とする銅 (I) 錯体が殆どであり，それ以外の配位結合を有する錯体についての報告例は極めて少ない。そこで，本稿では，Cu-C結合に着目し銅 (I) 錯体の合成を行い，その発光性について検討を行った。