2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[16p-P7-1~20] 12.4 有機EL・トランジスタ

2016年9月16日(金) 13:30 〜 15:30 P7 (展示ホール)

13:30 〜 15:30

[16p-P7-14] 紫外線重合したポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜を用いたペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度に対する低分子架橋剤の影響

岡田 秀一1、中原 佳夫1、宇野 和行1、田中 一郎1 (1.和歌山大システム工)

キーワード:有機薄膜トランジスタ、ゲート絶縁膜、ポリシルセスキオキサン

われわれは、polysilsesquioxane(PSQ)を有機薄膜トランジスタ(OTFT)のゲート絶縁膜に応用することを検討している。今回は、PSQを紫外線によって重合させる際に用いる低分子架橋剤の濃度を変えて、ペンタセンTFTを作製し、キャリア移動度とグレインサイズの関係を調べた。その結果、グレインサイズが同程度のとき、低分子架橋剤の濃度が20 %の場合のほうが10 %の場合に比べてキャリア移動度は、およそ半分程度に低下することが分かった。