17:45 〜 18:00 △ [20p-H101-17] SiC MOS反転層におけるホール移動度のp型アクセプタ濃度依存性 〇野口 宗隆1、岩松 俊明1、網城 啓之1、渡邊 寛1、中田 修平1、黒岩 丈晴1、喜多 浩之2、山川 聡1 (1.三菱電機、2.東大工)