09:30 〜 11:30 [19a-P4-3] ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上 〇道浦 大祐1、中原 佳夫1、宇野 和行1、田中 一郎1 (1.和歌山大システム工)