09:45 〜 10:00 [20a-S221-4] レーザーテラヘルツ放射顕微鏡によるシリコンMOS界面の評価 〇望月 敏光1、伊藤 明2、中西 英俊2、棚橋 克人1、川山 巌3、斗内 政吉3、白澤 勝彦1、高遠 秀尚1 (1.産総研、2.SCREENホールディングス、3.阪大レーザー研)