13:15 〜 13:30 [20p-H101-1] Si(001)上の3C-SiCエピ膜形成および積層欠陥生成過程の断面TEM解析 〇山崎 順1、石田 篤志2、秋山 賢輔3、平林 康男3 (1.阪大電顕セ、2.名大工、3.神奈川県産技セ)