18:15 〜 18:30 [20p-S223-17] PLD法によるp型Si(111)基板上へのErドープGa2O3薄膜の成長と評価 〇野田 真司1、陳 政委1、斉藤 勝彦1、田中 徹1、西尾 光弘1、郭 其新1 (1.佐賀大院工)