13:30 〜 15:30 [21p-P10-2] Si雰囲気アニール法によるSiCトレンチ構造形状制御 〇矢吹 紀人1、鳥見 聡1、野上 暁1、金子 忠昭2、北畠 真1 (1.東洋炭素、2.関学大理工)