13:30 〜 15:30 [20p-P9-3] SiO2を用いたGaN基板上MOSFETのMg濃度依存性 〇上野 勝典1、高島 信也1、稲本 拓朗1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機(株)、2.山梨大)