15:15 〜 15:30 [20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2) 〇永友 翔1、菊田 真也2、星野 聡彦2、石川 靖彦1 (1.東大院工、2.東京エレクトロン)