川内伸悟

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発表者・著者、共著者

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S221 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.3 絶縁膜技術

[20a-S221-1~12] 13.3 絶縁膜技術

09:15 〜 09:30

[20a-S221-2] V-MOSFETにおけるSi/SiO₂(001)界面における熱酸化過程、水素アニール効果の歪み依存性の第一原理計算による考察

〇(M1)川内伸悟¹、白川裕規¹、洗平昌晃^2,1,5、影島博之^3,5、遠藤哲郎^4,5、白石賢二^2,1,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.島根大院総合理工、4.東北大院工、5.JST-ACCEL)