10:30 〜 10:45 △ [20a-H112-7] Si(100)基板上C媒介Ge量子ドットの低温固相成長 〇(D)伊藤 友樹1、武島 開斗2、川島 知之1,2、鷲尾 勝由1,2 (1.東北大学院工、2.東北大工)