長妻宏郁

発表者・著者、共著者

2016年3月21日(月) 13:30 〜 15:30 P10 (屋内運動場)

一般セッション(ポスター講演)
| 15 結晶工学
| 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-P10-1~24] 15.6 IV族系化合物（SiC）

13:30 〜 15:30

△ [21p-P10-17] 4H-SiC nMOSFETによるPseudo-CMOS論理インバータの研究

〇長妻宏郁¹、黒木伸一郎¹、黒瀬達也¹、石川誠治^1,2、前田知徳^1,2、瀬崎洋^1,2、吉川公麿¹、牧野高紘³、大島武³、Mikael Östling⁴、Carl-Mikael Zetterling⁴ (1.広島大学ナノデバイス、2.フェニテックセミコンダクター(株)、3.日本原子力研究開発機構、4.KTH Royal Institute of Technology)