宇於崎涼介

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発表者・著者、共著者

2016年3月19日(土) 13:15 〜 19:00 H111 (本館)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-H111-1~22] 6.3 酸化物エレクトロニクス

18:30 〜 18:45

[19p-H111-21] Cu₂O系ヘテロ接合太陽電池のn形半導体層の成膜技術の検討

〇宇於崎涼介¹、渡辺恭輔¹、西祐希¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:00 S222 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ
| 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20a-S222-1~11] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

10:00 〜 10:15

[20a-S222-5] 多結晶AZO透明導電膜のキャリア輸送に対する結晶粒界の影響(Ⅲ)

〇宇於崎涼介¹、渡辺恭輔¹、池永訓昭¹、宮田俊弘¹、南内嗣¹ (1.金沢工大　OEDS R&D センター)