15:45 〜 16:00 △ [20p-S321-8] Si基板上GaInAsP/InP薄膜DFBレーザの高変調効率動作 〇(D)井上 大輔1、平谷 拓生1、福田 快1、冨安 高弘1、雨宮 智宏2、西山 伸彦1、荒井 滋久1,2 (1.東工大電気電子、2.東工大量子ナノ)