13:15 〜 13:30 △ [19p-H111-1] 高周波基板バイアススパッタ法における高エネルギーイオン照射によるVO2薄膜の転移特性制御 〇(D)ヌルーハニス ビンティアズハン1、沖村 邦雄1、大坪 嘉之2、木村 真一2、ムスタファ ザグリウィ3、坂井 穣3 (1.東海大院理工、2.大阪大、3.トゥール大GREMAN)