17:15 〜 17:30 [20p-S422-14] 変調ドープ構造InGaAsナノワイヤ/SiトンネルFETの作製 〇冨岡 克広1,2、石坂 文哉1、本久 順一1、福井 孝志1 (1.北大院情報科学および量子集積センター、2.JSTさきがけ)