09:30 〜 11:30 [22a-P6-3] 4H-SiC(0001)上エピタキシャルグラフェン基板を用いたMOVPE法InNエピタキシャル成長 〇戸松 侑輝1、道幸 雄真1、石丸 大樹1、橋本 明弘1 (1.福井大院工)