嘉数誠

→ Google ScholarでMakoto Kasuを検索

発表者・著者、共著者

2016年3月22日(火) 13:00 〜 15:00 W541 (西5号館)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[22p-W541-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

14:15 〜 14:30

[22p-W541-6] ダブルNO₂ホールドーピングを用いたダイヤモンド電界効果トランジスタの作製

〇嘉数誠¹、原田和也¹、古賀優太¹、花田賢志¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)

2016年3月21日(月) 09:00 〜 12:15 S222 (南2号館)

一般セッション(口頭講演)
| 合同セッションＫ
| 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[21a-S222-1~12] 21.1 合同セッションＫワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

11:00 〜 11:15

[21a-S222-8] beta-Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード素子特性の分布

〇嘉数誠¹、原田和也¹、花田賢志¹、大石敏之¹ (1.佐賀大院工)