一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.15 シリコンフォトニクス

[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

2016年3月20日(日) 13:45 〜 17:30 S621 (南6号館)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし

+全てマイスケジュールに登録

13:45 〜 14:00

▲ [20p-S621-1] Direct Modulation (6 Gbps) in Quantum Dot Lasers on Silicon

〇Jhang YuanHsuan¹、Mochida Reio²、Tanabe Katsuaki^2,3、Takemasa Keizo⁴、Sugawara Mitsuru⁴、Iwamoto Satoshi^1,2、Arakawa Yasuhiko^1,2 (1.IIS, The Univ. Tokyo、2.NanoQuine, The Univ. Tokyo、3.Kyoto Univ.、4.QD Laser, Inc)

14:00 〜 14:15

△ [20p-S621-2] Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性

〇奥村忠嗣¹、小田克矢¹、葛西淳一¹、佐川みすず¹、諏訪雄二¹ (1.日立研開)

14:15 〜 14:30

[20p-S621-3] 成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強

〇(M1)東垂水直樹¹、和田一実¹、石川靖彦¹ (1.東大工)

14:30 〜 14:45

[20p-S621-4] 横方向エピタキシャル成長によるGe導波路の結晶性改善

〇小田克矢¹、奥村忠嗣¹、葛西淳一¹、加古敏²、岩本敏²、荒川泰彦² (1.日立研開、2.東大生研・先端研)

14:45 〜 15:00

[20p-S621-5] SiO₂上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

〇八子基樹¹、和田一実¹ (1.東大院工)

15:15 〜 15:30

[20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)

〇永友翔¹、菊田真也²、星野聡彦²、石川靖彦¹ (1.東大院工、2.東京エレクトロン)

15:30 〜 15:45

[20p-S621-7] Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製

〇宮坂祐司¹、開達郎²、岡﨑功太²、土澤泰²、山本剛²、和田一実¹、石川靖彦¹ (1.東大工、2.NTT先端集積デバイス研)

15:45 〜 16:00

[20p-S621-8] バットジョイント横PIN型Ge受光器の高速動作特性

〇下山峰史¹、奥村滋一¹、小野英輝¹、今井雅彦¹、田中有¹、森戸健¹ (1.PETRA)

16:00 〜 16:15

[20p-S621-9] 伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電子ラマン遷移

〇(M2)松下智昭¹、安武裕輔^1,2、揖場聡³、齋藤秀和³、湯浅新治³、深津晋¹ (1.東大院総合(駒場)、2.JSTさきがけ、3.産業技術総合研究所)

16:30 〜 16:45

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge_1-xSn_x/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng Univ.)

16:45 〜 17:00

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

〇田中章吾¹、岡博史¹、冨永幸平¹、天本隆史¹、小山真広¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.大阪大学)

17:00 〜 17:15

▲ [20p-S621-12] GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon

Chen Shao-Wei¹、Tsai Chia-Ho¹、Weng Mao-Cheng¹、〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng. Univ.)

17:15 〜 17:30

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge_0.92Sn_0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

Sun Li-Chou¹、〇Chang Guo-En¹ (1.Nat. Chung Cheng. Univ.)

セッション情報

[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [20p-S621-1] Direct Modulation (6 Gbps) in Quantum Dot Lasers on Silicon

△ [20p-S621-2] Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性

[20p-S621-3] 成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強

[20p-S621-4] 横方向エピタキシャル成長によるGe導波路の結晶性改善

[20p-S621-5] SiO₂上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

[20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)

[20p-S621-7] Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製

[20p-S621-8] バットジョイント横PIN型Ge受光器の高速動作特性

[20p-S621-9] 伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電子ラマン遷移

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge_1-xSn_x/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

▲ [20p-S621-12] GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge_0.92Sn_0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

認証

セッション情報

[20p-S621-1~13] 3.15 シリコンフォトニクス

▲ [20p-S621-1] Direct Modulation (6 Gbps) in Quantum Dot Lasers on Silicon

△ [20p-S621-2] Ｇｅ導波路の光伝搬特性の偏光依存性

[20p-S621-3] 成長後アニールによる高濃度n型Geの発光増強

[20p-S621-4] 横方向エピタキシャル成長によるGe導波路の結晶性改善

[20p-S621-5] SiO2上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

[20p-S621-6] レーザーアニールを用いたSi上Ge pinフォトダイオードの高性能化(2)

[20p-S621-7] Ge/SiGeヘテロ接合アバランシェフォトダイオードの作製

[20p-S621-8] バットジョイント横PIN型Ge受光器の高速動作特性

[20p-S621-9] 伸張歪ゲルマニウムにおける共鳴電子ラマン遷移

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge1-xSnx/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

△ [20p-S621-11] ストレスライナーによるGe細線への一軸引張歪み印加とバンドギャップ変調

▲ [20p-S621-12] GeSn/Ge multiple-quantum-well short-wave infrared photoconductors on silicon

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge0.92Sn0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates

認証

[20p-S621-5] SiO₂上横方向成長を用いた極低貫通転位密度Ge薄膜

▲ [20p-S621-10] Theoretical analysis of optical gain in Ge_1-xSn_x/Ge quantum well on Ge-on-Si substrates

▲ [20p-S621-13] Photoluminescence from Ge_0.92Sn_0.08/Ge multiple-quantum-well on silicon substrates