一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:15 〜 09:30
〇佐藤 夏子1、五十嵐 樹莉1、井口 歩武1、井出 寛子1、下迫 直樹1、坂間 弘1、江馬 一弘1、欅田 英之1 (1.上智大理工)
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09:30 〜 09:45
〇菊地 諒介1、中村 透1、田村 聡1、村瀬 英昭1、羽藤 一仁1 (1.パナソニック)
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09:45 〜 10:00
〇勝部 大樹1、山下 隼人1、阿保 智1、若家 冨士男1、阿部 真之1 (1.阪大院基礎工)
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10:00 〜 10:15
〇西谷 拓樹1、太田 晃平1、北野 総佑1、濱野 亮介1、稲田 貢1、清水 智弘1、新宮原 正三1、幸塚 広光1、齊藤 正1 (1.関西大学)
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10:15 〜 10:30
〇佐藤 友香1、米谷 真人1、椿 俊太郎1、鈴木 榮一1、和田 雄二1 (1.東工大院理工)
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10:30 〜 10:45
〇(BC)徳田 冬樹1、本田 光裕1、奥村 竜二1、市川 洋1 (1.名工大)
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10:45 〜 11:00
〇(M1)李 明宇1、中川原 修2、服部 梓1、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.株式会社村田製作所)
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11:00 〜 11:15
Meng Gang1、長島 一樹1、金井 真樹1、〇柳田 剛1 (1.九大先導研)
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11:15 〜 11:30
〇樋口 敬之1、神吉 輝夫1、Luca Pellegrino2、Nicola Manca4、Daniele Marré2,3、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.CNR-SPIN、3.Genova Univ.、4.Delft Univ. of tech)
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11:30 〜 11:45
〇近成 将1、神吉 輝夫1、田中 秀和1 (1.阪大産研)
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11:45 〜 12:00
〇塩谷 広樹1、庄子 良晃2、清木 規矢2、中野 匡規1、福島 孝典2、岩佐 義宏1,3 (1.東大工、2.東工大資源研、3.理研CEMS)
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