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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 H111 (本館)

中野匡規(東大)

11:30 〜 11:45

△ [19a-H111-11] 表面処理条件の異なるYAlO₃(001)基板上に成膜したCr₂O₃薄膜の結晶構造解析および磁気特性

〇(M1)橋本浩佑¹、隅田貴士¹、福井慎二郎¹、永田知子¹、山本寛¹、岩田展幸¹ (1.日大理工)

キーワード：Cr2O3、YAlO3

　　　