[19a-H111-1~13] 6.3 Oxide electronics

△ [19a-H111-12] BaSnO₃ thin-film transistors with high field-effect mobility

〇(M2)KAZUKI NISHIHARA¹, Kohei Fujiwara¹, Junichi Shiogai¹, Atsushi Tsukazaki^1,2 (1.IMR, Tohoku Univ., 2.PRESTO, JST)

Keywords:field-effect transistor,transparent conducting oxides

BaSnO₃はIn系酸化物に代わる透明導電膜や高移動度トランジスタの候補物質として注目されている。BaSnO₃をチャネルとした電界効果トランジスタが近年続々と報告されており、ゲート絶縁体／チャネル界面の構造制御による特性向上が試みられている。本研究では、我々が最近作製に成功したバッファー層技術を用いて、チャネル高品質化の観点からトランジスタ構造の最適化を行うことで、電界効果移動度の向上に成功した。