2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 H111 (本館)

中野 匡規(東大)

11:45 〜 12:00

[19a-H111-12] 高電界効果移動度を有するBaSnO3薄膜電界効果トランジスタ

〇(M2)西原 和貴1、藤原 宏平1、塩貝 純一1、塚﨑 敦1,2 (1.東北大金研、2.JSTさきがけ)

キーワード:電界効果トランジスタ、透明導電酸化物

BaSnO3はIn系酸化物に代わる透明導電膜や高移動度トランジスタの候補物質として注目されている。BaSnO3をチャネルとした電界効果トランジスタが近年続々と報告されており、ゲート絶縁体/チャネル界面の構造制御による特性向上が試みられている。本研究では、我々が最近作製に成功したバッファー層技術を用いて、チャネル高品質化の観点からトランジスタ構造の最適化を行うことで、電界効果移動度の向上に成功した。