2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:15 H111 (本館)

中野 匡規(東大)

09:30 〜 09:45

[19a-H111-3] CsxWO3エピタキシャル薄膜の作製と超伝導特性の変調

相馬 拓人1、吉松 公平1、大友 明1,2 (1.東工大院理工、2.元素戦略)

キーワード:酸化タングステン、超伝導、インターカレーション

新規物性の開拓と超伝導デバイス応用を目指し六方晶CsxWO3に着目した.本材料は詳細な電子物性が明らかにされていない部分が多く,薄膜での作製が未だ成されていない.今回,我々はパルスレーザ堆積法を用いて単結晶薄膜という形で作製が可能であることを明らかにした.また,電気化学的なキャリア変調を行うことにより超伝導-常伝導転移が観測され,結晶構造とキャリア濃度を任意に制御し超伝導特性を変調できることが示唆された.