[19a-H111-1~13] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [19a-H111-8] ペロブスカイト型SrNbO₂Nエピタキシャル薄膜の巨大正磁気抵抗

〇岡 大地¹、廣瀬 靖^2,3、中尾 祥一郎³、福村 知昭¹、長谷川 哲也^2,3 (1.東北大院理、2.東大院理、3.KAST)

キーワード：ペロブスカイト型酸窒化物、巨大磁気抵抗、アンダーソン局在

本研究では一連のSrNbO_3−xN_x（0 ≤ x ≤ 1）エピタキシャル薄膜を作成し、窒素導入が電気輸送機構に与える影響を調査した。窒素含有量xの増加に伴い、電子キャリアはホッピング伝導挙動を示すようになった。また、低温領域において正磁気抵抗効果が生じ、x = 1では2 K、9 Tにおいて50%の大きな値に達した。これらの結果は酸窒化物の特徴であるOとNの長距離的ランダムネスによって伝導電子が極度に局在化されたことを示している。