[19a-H112-1~8] 15.1 バルク結晶成長

[19a-H112-2] EFG法によるβ-Ga₂O₃単結晶のドーパント偏析

〇渡辺 信也¹、輿 公祥¹、山岡 優¹、増井 建和¹、倉又 朗人¹、山腰 茂伸¹ (1.タムラ製作所)

キーワード：酸化ガリウム、EFG法、偏析

EFG法（単スリット）で育成した幅2インチ、厚さ6 mmおよび18 mmの不純物添加β-Ga₂O₃単結晶について、厚さ方向のドーパント濃度分布の解析および各不純物(Si, Sn, Fe)の偏析係数について述べる。厚さ中央（スリット位置）から端に向かって融液が流れるモデルで考えた場合、偏析係数を仮定したフィッティング（ノーマルフリージングの式）が、厚さ方向のドーパント濃度分布とよく一致した。