[19a-H121-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-H121-5] Fe dope GaN growth hydride Vapor Phase Epitaxy

〇Yusho Denpo¹, Takanori Nishihira¹, Keisuke Yamane², Narihito Okada¹, Masaaki Kuzuhara³, Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Grad. School of sci. & Eng., Yamaguchi Univ., 2.Toyohashi Univ. of Technology., 3.Fukui Univ.)

Keywords:GaN,Fe-dope

近年、性能限界に近づきつつあるSiに変わる材料としてGaNが注目を集めている。GaNは高い飽和電子速度や絶縁破壊電界という特徴から、高出力・高耐圧・低オン抵抗の優れた性能が期待でき、AlGaN/GaNのHEMTの研究は盛んに行われている。HEMT構造は高抵抗層を有し主に炭素がドープされている。我々は、別の手法としてGaNにFeをドープして高抵抗化する手法を試みた。本研究では、FeをGaNにドープし高抵抗GaNを作製したので報告する。