[19a-H121-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-H121-5] ハイドライド気相成長法を用いたFe ドープGaNの成長

〇傳寶 裕晶¹、西平 貴則¹、山根 啓輔²、岡田 成仁¹、葛原 正明³、只友 一行¹ (1.山口大学院理工、2.豊橋技術科学大学、3.福井大学)

キーワード：窒化ガリウム、Feドープ

近年、性能限界に近づきつつあるSiに変わる材料としてGaNが注目を集めている。GaNは高い飽和電子速度や絶縁破壊電界という特徴から、高出力・高耐圧・低オン抵抗の優れた性能が期待でき、AlGaN/GaNのHEMTの研究は盛んに行われている。HEMT構造は高抵抗層を有し主に炭素がドープされている。我々は、別の手法としてGaNにFeをドープして高抵抗化する手法を試みた。本研究では、FeをGaNにドープし高抵抗GaNを作製したので報告する。