[19a-P4-1~31] 12.4 Organic light-emitting devices and organic transistors

[19a-P4-27] Structural analysis of gate electrodes in the vertical organic transistor

〇Shin Kobayashi¹, Noboru Ohashi¹, Junpei Ueno¹, Mutsumi Sugiyama², Kazuhiro Kudo³, Yasuyuki Watanabe¹ (1.Tokyo Univ. of Sci., Suwa., 2.Tokyo Univ. of Sci., 3.Chiba Univ.)

Keywords:organic transistor,static induction transistor,energy dispersive x-ray spectrometry (EDX)

SITは低電圧、大電流、高速動作が期待されるとして有機トランジスタへ応用されてきたが、作製プロセスを主眼とした研究が先行して行われており、SIT動作メカニズムの本質であるゲート電極近傍の微細構造は明確にされていないままであった。そこで、我々は約10 nmのスポット分解能を持つLVP-SEMを用い、EDXを行うことで従来観察することが困難であったゲート電極近傍の微細な構造解析に成功したので報告する。