[19a-P4-1~31] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-P4-27] 縦型有機トランジスタにおけるゲート構造の解析

〇小林 心¹、大橋 昇¹、上野 純平¹、杉山 睦²、工藤 一浩³、渡邊 康之¹ (1.諏訪東京理科大工、2.東京理科大理工、3.千葉大院工)

キーワード：有機トランジスタ、静電誘導トランジスタ、エネルギー分散型X線分析

SITは低電圧、大電流、高速動作が期待されるとして有機トランジスタへ応用されてきたが、作製プロセスを主眼とした研究が先行して行われており、SIT動作メカニズムの本質であるゲート電極近傍の微細構造は明確にされていないままであった。そこで、我々は約10 nmのスポット分解能を持つLVP-SEMを用い、EDXを行うことで従来観察することが困難であったゲート電極近傍の微細な構造解析に成功したので報告する。