[19a-P4-1~31] 12.4 有機EL・トランジスタ

[19a-P4-3] ポリシルセスキオキサンゲート絶縁膜の表面処理によるペンタセン薄膜トランジスタのキャリア移動度向上

〇道浦 大祐¹、中原 佳夫¹、宇野 和行¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：有機トランジスタ、ゲート絶縁膜、ポリシルセスキオキサン

ポリシルセスキオキサン(PSQ)をゲート絶縁膜に用いたペンタセン薄膜トランジスタにおいて、絶縁膜表面をUV/O₃とヘキサメチルジシラザンで処理することで、キャリア移動度を平均0.082 cm²/Vsから0.32 cm²/Vsへ向上させることができた。これは、表面処理によってPSQ絶縁膜の表面平坦性が向上したことと、それによってペンタセンのグレインサイズが増大したことによると考えられる。