[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-13] 分子動力学法による低熱伝導率SiGe構造の探索

〇高橋 憲彦¹、金田 千穂子¹ (1.富士通研)

キーワード：SiGe混晶、熱伝導率、分子動力学法

SiGe混晶系における組成および原子配置のランダムさの違いや、SiGe積層構造における積層周期の違いが熱伝導率に及ぼす影響について、分子動力学法を用いて調べた。混晶系では、いずれの組成でも原子配置のランダムさが増すことにより、フォノン熱伝導率が大幅に低減する。積層構造では、積層周期が大きい場合に熱伝導率が低くなる傾向にあり、混晶系と同程度の低熱伝導率が実現可能である。