[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-4] 次世代TCAD(4) モンテカルロイオン注入の畳み込み積分法の検討

〇大倉 康幸¹、山口 憲¹、小池 秀耀¹ (1.アドバンストソフト)

キーワード：３次元モンテカルロイオン注入、畳み込み積分

Advance/TCAD プロセスシミュレータは、新たに考案した幾何学的な計算モデルと、シリコンカーバイド(SiC)対応を含めた３次元モンテカルロイオン注入モデルを実装したことに特徴がある。
本発表は畳み込み積分のイオン注入モデルへの適用を報告する。