2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

2016年3月19日(土) 09:00 〜 12:30 S223 (南2号館)

森 伸也(阪大)

10:30 〜 10:45

[19a-S223-7] 二光子吸収過程を用いたレーザによるソフトエラーシミュレーションの
焦点位置依存性の数値解析

井辻 宏章1,2、小林 大輔1,2、廣瀬 和之1,2 (1.東大院工、2.JAXA宇宙研)

キーワード:ソフトエラー、デバイスシミュレーション、二光子吸収

ソフトエラーが顕在化している. ソフトエラーは, 放射線が生成した電荷が過渡電流となり, 集積回路を流れることで生じる. ソフトエラーが起こるか否かは, 過渡電流のパルス幅等で決まる. それは二光子吸収型パルスレーザ照射法で調べられる. その方法では, 焦点位置のみに電荷を生成できる. 前回, デバイスの深さ方向に焦点位置を動かし, そのときのパルス幅を報告した. 今回, そのシミュレーションを報告する.