[19a-S223-1~13] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[19a-S223-8] Source/Drain領域のバンドギャップ制御によるSOI-MOSFETの寄生バイポーラ効果の抑制

〇(M1)和田 雄友¹、山本 航汰¹、高橋 芳浩¹、呉 研¹ (1.日大理工)

キーワード：寄生バイポーラ効果、シングルイベント効果、バンドギャップ制御

微細SOI-MOSFETに重イオンが照射された際に、発生電荷量の蓄積によるチャネル電位変動に起因し発生電荷量以上の電荷が回路に収集される(寄生バイポーラ効果)。本研究では、Source/Drain領域のバンドギャップが寄生バイポーラ効果に及ぼす影響について検討した。その結果、バンドギャップの狭小化に伴いSOI-MOSFETの収集電荷量が急峻に低下することをデバイスシミュレータにより確認した。