[19a-S622-1~13] 3.12 Nanoscale optical science and near-field optics

△ [19a-S622-11] The processing condition dependence of GaP LED using dressed-photon-phonon and physical analysis using two-level two-state model

〇(D)JunHyoung Kim¹, Tadashi Kawazoe², Motoichi Ohtsu¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NPEO)

Keywords:dressed photon,gallium phosphide,two level system

励起準位にある系の場合、原子拡散のためのポテンシャル障壁が低くなっていることに着目することでドレスト光子フォノン(DPP)援用アニールを正しく説明するモデル(２準位２状態モデル)を作ることができる。本発表では２準位２状態モデルを用いてDPP援用アニールのメカニズムを定性的かつ定量的に論ずる。