[19a-S622-1~13] 3.12 ナノ領域光科学･近接場光学

[19a-S622-2] 電流によりグラフェン表面に誘起される電磁エバネッセント波ーパッシブ・テラヘルツ近接場顕微鏡による可視化ー

〇(PC)根間 裕史¹、林 冠廷¹、金 鮮美¹、菅原 健太³、尾辻 泰一³、小宮山 進²、梶原 優介¹ (1.東大生産研、2.東大総合文化、3.東北大通研)

キーワード：テラヘルツ、近接場、グラフェン

超高感度赤外検出器（CSIP）を用いたパッシブ型 THz 近接場顕微鏡は、物質中の電荷や電気分極の運動により物質表面に生じる電磁エバネッセント波を可視化する新たな測定手段である。今回、 この顕微鏡を用い、4H-SiC基板(C面) の熱分解により成膜した2 層エピタキシャルグラフェンに通電することで、エバネセント波（波長14.5ミクロン）が発生することを見出したので、報告する。