[19a-W810-1~10] 2.2 検出器開発

[19a-W810-2] 厚膜化 Gated Silicon Drift Detector の有効面積の拡大

〇石川 翔平¹、福島 慎也¹、櫻井 俊伍¹、小田 祐也¹、竹下 明伸¹、日高 淳輝¹、松浦 秀治¹ (1.大阪電通大)

キーワード：半導体、Gated Silicon Drift Detector、X線検出素子

当研究室ではSDDとは構造の異なるGated Silicon Drift Detector (GSDD) を提案している。前回の発表では蛍光X線の吸収率を高める為に 2.5 mm の厚膜化を行ったが、素子の有効面積が受光面積の50％以下になることが分かった。そこで、今回は有効面積を拡大する方法を検討した。
GSDDの新構造を提案し、シミュレーションを行った結果良好な電位勾配が得られた。