[19p-H103-1~21] 6.2 Carbon-based thin films

△ [19p-H103-15] Trench-channel vertical MOSFET using C-H diamond surface(Ⅱ)

〇(B)Tsubasa Muta¹, Toshiki Saito¹, Takuya Kudo¹, Yuya Kitabayashi¹, Daisuke Matumura¹, Junxiong Niu¹, Masafumi Inaba¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:diamond,semiconductor

本研究では縦方向に電流を流す水素終端ダイヤモンド表面の2DHGを利用したMOSFETを作製した。ダイヤモンド表面にはC-H結合が施されており、これにより2DHGが誘起される。この2DHGは形状によらず、水素終端面の直下に発生する。トレンチ構造の側面にALD法を用いてAl₂O₃膜をパッシベーション膜及びゲート絶縁膜を形成し、そこで発生した2DHGにより縦型チャネルFETが動作することを確認したが、縦に電流が貫通する構造ではなかった。